ガラス、セラミックス、シリコンウエハ等の硬脆材料に最適な穴加工・溝加工・エッチング・エンボス加工技術をご紹介します。
●部品の機能的成形
●装飾
→ガラス →セラミックス →シリコン →サファイア →金属 →その他樹脂など
| ガラス基板の穴加工(穴径:200μm) | ||
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| ガラスウェハの穴加工(穴径:200μm) | ||
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| ガラスウェハの丸穴及び角穴加工 | ガラスウェハの角穴加工 | |
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| ガラス基板の高アスペクト加工 (穴径:φ0.1 mm、深さ:0.3 mm) |
ガラス基板の垂直穴加工 (穴径:φ0.8 mm、深さ:1.6mm) |
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![]() アスペクト比3.0(片面) |
![]() テーパ角85° |
| ガラス基板の溝加工 | ||
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| ガラス基板の溝加工 | ガラス基板の溝加工 (線幅:200μm) |
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| ガラス基板のエッチング | ||
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| ガラスウェハのエッチング | ||
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| ガラス基板の3次元マイクロ加工 (角ハーフエッチングと丸穴貫通) | ||
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| ガラス基板の3次元マイクロ加工 (角ハーフエッチングと丸穴貫通) |
ガラス基板の3次元マイクロ加工 (角ハーフエッチングと角穴貫通) |
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| ガラス基板のエンボス加工(径:350μm 高さ:250μm) | ||
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| ガラス基板のエンボス加工 | ||
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| ガラス基板の面取り | ||
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| ガラス基板のパターニング加工 | ||
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→ガラス →セラミックス →シリコン →サファイア →金属 →その他樹脂など
| チッ化アルミ基板の穴加工 | ||
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| アルミナ基板の穴加工(径:450~850μm) | ||
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| チッ化アルミ基板の高アスペクト加工 (穴径:φ0.360 mm、深さ:0.650 mm) |
チッ化アルミ基板の高アスペクト加工 (穴径:φ0.4 mm、深さ:0.635 mm) |
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アスペクト比1.7(片面加工) |
![]() アスペクト比1.6(片面加工) |
| サセプターの溝加工 | ||
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| セラミックス基板の溝加工 | 円筒形セラミックスの溝加工 | |
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| セラミックス基板のエッチング | ||
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| サセプターピンチャックのエンボス加工 | ||
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| 成膜基板のパターニング加工 | セラミックス基板のパターニング加工 | |
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→ガラス →セラミックス →シリコン →サファイア →金属 →その他樹脂など
| シリコンウェハの穴加工 | ||
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| シリコンウェハの穴加工 | ||
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| シリコンウェハの穴加工 | ||
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![]() アスペクト比2.2(片面加工) |
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| シリコンウェハのエッチング | ||
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| シリコンウェハのダイシング | ||
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| シリコンウェハの膜剥離処理 | ||
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→ガラス →セラミックス →シリコン →サファイア →金属 →その他樹脂など
| サファイア基板の止まり穴加工 (穴径:φ1.17mm、深さ:0.15mm) |
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| サファイア基板の溝加工 (スリット幅:1.2mm、深さ:0.15mm) |
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| サファイア基板のエッチング (縦:1.8mm、横:1.8mm、深さ:0.2mm) |
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→ガラス →セラミックス →シリコン →サファイア →金属 →その他樹脂など
| 円筒形金属のエッチング | ||
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| 金属のバリ取り | ||
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| 金属の粗面(面粗し)加工 | ||
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→ガラス →セラミックス →シリコン →サファイア →金属 →その他樹脂など
| ICパッケージの微小バリ取り | 樹脂のバリ取り | |
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| 装置 | 特長 |
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| マイクロブラスト | ・ドライ工法でノンケミカル ・チッピング・クラックが少ない ・加工変質が発生しにくい ・加工レートが高い ・平面の複雑形状加工が可能 ・イニシャルコストが低い ・各種マテリアルに対応可能 ・ワークへのダメージが小さい |
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